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硅光芯片耦合測試系統(tǒng)是由激光器與硅光芯片集成結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)包括:激光器芯片,激光器芯片包括第1波導;硅光芯片,硅光芯片包括第二波導,第二波導及第1波導將激光器芯片發(fā)出的光耦合至硅光芯片內(nèi);第1波導包括依次一體連接的第1倒錐形波導部,矩形波導部及第二倒錐形波導部;第二波導包括第1氮化硅光芯片,第二氮化硅光芯片及硅光芯片;其中,第1氮化硅光芯片,第二氮化硅光芯片及硅光芯片均包括依次一體連接的第1倒錐形波導部,矩形波導部及第二倒錐形波導部。相比于現(xiàn)有技術(shù)中的端面耦合,本實用新型的耦合方式對倒裝焊過程中的對準精度要求更低,即使在對準有誤差的實際工藝條件下,仍然具有較高的耦合效率。IC測試架是一種檢測和診斷集成電路的設(shè)備,它可以通過模擬信號的方式,檢測集成電路的功能和性能。上海單模硅光芯片耦合測試系統(tǒng)加工廠家

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)中的硅光與芯片的耦合方法及其硅光芯片,方法包括以下步驟:將硅光芯片粘貼固定在基板上,硅光芯片的端面耦合波導為懸臂梁結(jié)構(gòu),具有模斑變換器;通過圖像系統(tǒng),微調(diào)架將光纖端面與耦合波導的模斑變換器耦合對準,固定塊從側(cè)面緊挨光纖并固定在基板上;硅光芯片的輸入端和輸出端分別粘貼墊塊并支撐光纖未剝除涂覆層的部分;使用微調(diào)架將光纖端面與模斑變換器區(qū)域精確對準,調(diào)節(jié)至合適耦合間距后采用紫外膠將光纖分別與固定塊和墊塊粘接固定;本發(fā)明方案簡易可靠,工藝復雜度低,通用性好,適用于批量制作。上海震動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)廠家硅光芯片的具有集成度高、成本低、傳輸線更好等特點。

基于設(shè)計版圖對硅光芯片進行光耦合測試的方法及系統(tǒng),該方法包括:讀取并解析設(shè)計版圖,得到用于構(gòu)建芯片圖形的坐標簇數(shù)據(jù),驅(qū)動左側(cè)光纖對準第1測試點,獲取與第1測試點相對應(yīng)的測試點圖形的第1選中信息,驅(qū)動右側(cè)光纖對準第二測試點,獲取與第二測試點相對應(yīng)的測試點圖形的第二選中信息,獲取與目標測試點相對應(yīng)的測試點圖形的第三選中信息,通過測試點圖形與測試點的對應(yīng)關(guān)系確定目標測試點的坐標,以驅(qū)動左或右側(cè)光纖到達目標測試點,進行光耦合測試;該系統(tǒng)包括上位機,電機控制器,電機,夾持載臺及相機等;本發(fā)明具有操作簡單,耗時短,對用戶依賴程度低等優(yōu)點,能夠極大提高硅光芯片光耦合測試的便利性。
硅光芯片耦合測試系統(tǒng)組件裝夾完成后,通過校正X,Y和Z方向的偏差來進行的初始光功率耦合,圖像處理軟件能自動測量出各項偏差,然后軟件驅(qū)動運動控制系統(tǒng)和運動平臺來補償偏差,以及給出提示,繼續(xù)手動調(diào)整角度滑臺。當三個器件完成初始定位,同時確認其在Z軸方向的相對位置關(guān)系后,這時需要確認輸入光纖陣列和波導器件之間光的耦合對準。點擊找初始光軟件會將物鏡聚焦到波導器件的輸出端面。通過物鏡及初始光CCD照相機,可以將波導輸出端各通道的近場圖像投射出來,進行適當耦合后,圖像會被投射到顯示器上。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng)為工業(yè)客戶和院??蛻籼峁┙?jīng)濟有效的系統(tǒng)解決方案。

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)是什么?硅光芯片耦合測試系統(tǒng)主要是用整機模擬一個實際使用的環(huán)境,測試設(shè)備在無線環(huán)境下的射頻性能,重點集中在天線附近一塊,即檢測天線與主板之間的匹配性。因為在天線硅光芯片耦合測試系統(tǒng)之前(SMT段)已經(jīng)做過RFcable測試,所以可以認為主板在射頻頭之前的部分已經(jīng)是好的了,剩下的就是RF天線、天線匹配電路部分,所以檢查的重點就是天線效率、性能等項目。通常來說耦合功率低甚至無功率的情況大多與同軸線、KB板和天線之間的裝配接觸是否良好有關(guān)。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處:具有在單周期內(nèi)操作的多個硬件地址產(chǎn)生器。上海振動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)公司
硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處:穩(wěn)定性好,精度高。上海單模硅光芯片耦合測試系統(tǒng)加工廠家
我們分析了一種可以有效消除偏振相關(guān)性的偏振分級方案,并提出了兩種新型結(jié)構(gòu)以實現(xiàn)該方案中的兩種關(guān)鍵元件。通過理論分析以及實驗驗證,一個基于一維光柵的偏振分束器被證明能夠?qū)崿F(xiàn)兩種偏振光的有效分離。該分束器同時還能作為光纖與硅光芯片之間的高效耦合器。實驗中我們獲得了超過50%的耦合效率以及低于-20dB的偏振串擾。我們還對一個基于硅條形波導的超小型偏振旋轉(zhuǎn)器進行了理論分析,該器件能夠?qū)崿F(xiàn)**的偏轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)化效率,并擁有較大的制造容差。在這里,我們還對利用側(cè)向外延生長硅光芯片耦合測試系統(tǒng)技術(shù)實現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ材料與硅材料混集成的可行性進行了初步分析,并優(yōu)化了諸如氫化物氣相外延,化學物理拋光等關(guān)鍵工藝。在該方案中,二氧化硅掩膜被用來阻止InP種子層中的線位錯在外延生長中的傳播。初步實驗結(jié)果和理論分析證明該集成平臺對于實現(xiàn)InP和硅材料的混合集成具有比較大的吸引力。上海單模硅光芯片耦合測試系統(tǒng)加工廠家